Kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường chùm ion tập trung Ga+ DB550

Ưu điểm công nghệ cốt lõi

Sự vượt trội của DB550 đến từ năm cải tiến quan trọng:

1. Quang học điện tử siêu đường hầmTính năng giảm tốc chùm tia trong cột giúp giảm thiểu hiệu ứng điện tích không gian, cho phép chụp ảnh độ phân giải cao ở điện áp thấp (20V–30kV) với độ sai lệch tối thiểu.

   
   

2. 

3. Đường đi không giao nhauLoại bỏ hiện tượng giao thoa chùm tia để nâng cao độ phân giải và giảm hiện tượng méo hình thấu kính, điều này rất quan trọng đối với việc phân tích các đặc điểm ở kích thước dưới nanomet.

   
   

4. Thấu kính mục tiêu kết hợp điện từ và tĩnh điệnHỗ trợ chụp ảnh điện áp thấp (1kV) với độ phân giải 1,6nm, đồng thời cho phép quan sát các mẫu từ tính — điều không thể thực hiện được với các kính hiển vi điện tử quét (SEM) thông thường.

   
   

5. Ống kính nhiệt độ ổn định làm mát bằng nướcĐảm bảo tính ổn định và khả năng lặp lại trong các thí nghiệm dài hạn, với tính năng chuyển đổi khẩu độ tự động giúp chuyển đổi chế độ nhanh chóng.

   
   

6. 

7. Hệ thống lỗ đa khẩu độ có thể điều chỉnhSử dụng hiện tượng lệch hướng điện từ để chuyển đổi liền mạch giữa các chế độ chụp ảnh (ví dụ: electron thứ cấp, electron tán xạ ngược) mà không cần điều chỉnh cơ học.

   
   

Các thành phần chính và hiệu năng

Cột chùm ion hội tụ (FIB):-Nghị quyết: 3nm@30kV (chùm ion Ga+), với dòng điện thăm dò từ 1pA đến 65nA để phay tinh tế hoặc loại bỏ vật liệu khối lượng lớn.

• Sự ổn định: Hoạt động liên tục 72 giờ, chu kỳ thay nguồn ion ≥1000 giờ và dải điện áp gia tốc từ 0,5kV–30kV.

  
  

• 

Bộ thao tác nano:

• Hệ thống ba trục hoàn toàn bằng áp điện gắn trong buồng, với độ chính xác chuyển động ≤10nm và tốc độ tối đa 2mm/s. Lý tưởng cho việc định vị mẫu chính xác và thao tác tại chỗ.

  
  

Hệ thống phun khí (GIS):

• Thiết kế GIS đơn với nhiều khí tiền chất (ví dụ: bạch kim, vonfram để lắng đọng), khoảng cách ≥35mm và độ lặp lại chuyển động ≤10μm. Điều khiển nhiệt độ (nhiệt độ phòng–90°C) với độ chính xác ±0,1°C đảm bảo các phản ứng hóa học nhất quán.

  
  

Ứng dụng trong nhiều ngành công nghiệp

Bán dẫn:

• Phân tích lỗi chip IC thông qua phương pháp phay mặt cắt ngang, chuẩn bị mẫu TEM (làm mỏng lớp màng) và chỉnh sửa mạch. Điều này rất quan trọng để gỡ lỗi các nút công nghệ tiên tiến (ví dụ: 7nm/5nm).

  
  

Năng lượng mới:

• Đặc tính vật liệu pin lithium-ion: Quan sát hình thái, phân tích kích thước hạt và chẩn đoán lỗi (ví dụ: sự phát triển của dendrite) bằng BSE/EDX/SIMS.

  
  

Vật liệu gốm:

• Gia công vi mô-nano độ chính xác cao (ví dụ: khắc rãnh) kết hợp với hình ảnh 3D thông qua nghiên cứu BSE/EDX/EBSD/SIMSables về ranh giới hạt và phân bố pha (quy mô: 2–5μm).

  
  

Vật liệu hợp kim:

• Phân tích pha gia cường (ví dụ: vật liệu composite nền kim loại) sử dụng mẫu TEM được chuẩn bị bằng FIB để thực hiện nhiễu xạ Kikuchi truyền qua (TKD) và thử nghiệm cơ học tại chỗ.

  
  

Thông số kỹ thuật

Quang học điện tử:

• SúngSúng bắn electron phát xạ trường Schottky độ sáng cao.

  
  

• Nghị quyết: 0,9nm@15kV (độ tương phản cao), 1,6nm@1,0kV (độ phân giải cao).

  
  

• Điện áp gia tốcĐiện áp: 20V–30kV (có thể thay đổi).

  
  

Hệ thống chùm ion:

• NguồnNguồn ion kim loại lỏng Ga+.

  
  

• Nghị quyết:nm@30kV; điện áp gia tốc 500V–30kV.

  
  

Buồng chứa mẫu vật:

• TrốngHệ thống hoàn toàn tự động, không dầu.

  
  

• Sân khấu: Bàn xoay 5 trục có động cơ (X/Y=110mm, Z=65mm; độ nghiêng -10°–+70°, xoay 360°).

  
  

• Máy ảnh: 3x (1x định vị quang học + 2x giám sát).

  
  

Máy dò & Tùy chọn:

• Tiêu chuẩn: Đầu dò điện tử trong thấu kính, Đầu dò Everhart-Thornley (ETD).

  
  

• Không bắt buộc: BSD, STEM, EDS, EBSD, thiết bị thao tác nano, máy làm sạch plasma, buồng nạp 8 inch.

  
  

Giao diện người dùng:

• Hệ điều hành Windows với điều hướng bằng quang học/cử chỉ; chức năng tự động lấy nét/điều chỉnh độ cận thị.

  
  

Lợi thế cạnh tranh

So với các kính hiển vi FIB-SEM thông thường, DB550 mang lại những ưu điểm sau:

• Thông lượng cao hơnCác quy trình tự động (nạp mẫu, căn chỉnh) giúp giảm thời gian thiết lập xuống 40%.

  
  

• Tăng cường tính linh hoạtBộ thiết bị dò mở rộng hỗ trợ phân tích đa phương thức (ví dụ: EDS để lập bản đồ nguyên tố + EBSD để nghiên cứu tinh thể học).

  
  

• Độ tin cậy cấp công nghiệpỐng kính làm mát bằng nước và hệ thống chân không không dầu đảm bảo hoạt động liên tục 24/7 trong phòng sạch.

  
  

Từ khóa SEO

1. DB550 Ga + SEM chùm tia ion tập trung

   
   

2. Trạm làm việc FIB-SEM tích hợp

   
   

3. Quang học điện tử đường hầm siêu cấp

   
   

4. SEM chế tạo nano

   
   

5. Công cụ phân tích lỗi bán dẫn

   
   

6. SEM độ phân giải cao điện áp thấp

   
   

7. Hệ thống phun khí GIS

   
   

8. Công cụ thao tác nano chính xác

   
   

9. Đặc tính vật liệu FIB-SEM

   
   

10. Khóa nạp mẫu vật tương thích 8 inch